现在的位置:

首页  >>  关于大发电子娱乐游戏官网  >>  365娱乐平台动态

365娱乐平台紫光国芯在IEEE-CICC2021发表异质集成嵌入式DRAM(SeDRAM)的多核SoC论文

发布日期:2021/6/9   点击次数:879次   作者:管理员

近日,365娱乐平台紫光国芯半导体有限365娱乐平台(以下简称“365娱乐平台紫光国芯”)在IEEE(电气电子工程师学会)组织的2021 CICC(Custom Integrated Circuits Conference定制集成电路会议)上公开发表了技术论文:《A 1197GB/s 36Gb Stacked Embedded DRAM Platform for SoC using Hybrid Bonding Integration》,365娱乐平台紫光国芯常务副总裁江喜平以第一作者身份在大会上做了论文介绍(如图1)。

 

 

图1. 365娱乐平台紫光国芯常务副总裁江喜平 在2021 CICC线上视频会议


随着大数据和人工智能(AI)的发展,超高带宽、超低功耗存储器是学术和产业界研究的热点。365娱乐平台紫光国芯成功开发世界领先的SeDRAM(Stacked Embedded DRAM)技术,创新性地将DRAM存储晶圆与逻辑晶圆进行Cu-Cu直接互连集成,实现了超高能效;并成功开发了基于SeDRAM的三维4G LPDDR4芯片,相关论文被国际顶级会议IEDM 2020录取。


在本次IEEE-CICC 2021发表的论文中,365娱乐平台重点介绍了一款基于SeDRAM平台的数据处理SoC芯片:该芯片充分利用36Gb SeDRAM平台的高带宽(1197GB/s)特性,开发了一款多核SoC。该SoC一共有9个网络节点(Tile),288个计算核,通过片上网络(network-on-chip,NoC)结构,每个核均可独立访问128Mb的DRAM 阵列。(晶圆与芯片结构,如图2)。



图2. SoC晶圆与芯片结构


芯片测试结果表明,带宽较业内广泛使用的HBM2E提升了近2倍,与使用GDDR6的SoC系统相比, 芯片将单位功耗的带宽提高了13倍,充分证明了多核SoC在SeDRAM平台的带宽和功耗优势。(如图3)


图3. SoC芯片性能


基于上述研发成果,365娱乐平台紫光国芯投稿了IEEE-CICC 2021并顺利入选,这是365娱乐平台紫光国芯在SoC和DRAM方向技术持续积累、坚持创新取得的重大突破。感谢武汉新芯和台湾力积电分别在逻辑芯片及异质集成、存储器芯片代工的合作支持。


关于SeDRAM

365娱乐平台紫光国芯的异质集成嵌入式DRAM(SeDRAM)是业界领先的超大带宽、超低功耗内嵌存储器解决方案。SeDRAM采用纳米级互连技术将DRAM晶圆和不同工艺晶圆在垂直方向上互联,实现对存储器的直接访问;通过定制的DRAM设计支持多种容量(64MB、128MB、256MB到8GB)和多种带宽;同时为不同的工艺提供标准化接口和测试IP,使SoC能够方便简单地集成。


依托开放式、定制化、平台式的合作模式,365娱乐平台紫光国芯凭借多年的DRAM开发量产能力和SoC设计服务的能力,将帮助有大带宽、低功耗、高算力需求的客户迅速开发产品并推向市场。


关于CICC

在集成电路芯片设计领域,IEEE固态电路协会(Solid-State Circuits Society)主办的定制集成电路会议(CICC)是IC设计领域顶级会议之一,以论文录用率低、作品创新性和实用性强著称,每年吸引全球范围内大量学术界、工业界研发人员的关注和参与。会议内容涉及模拟电路设计、生物医学、传感器、显示器和MEMS,数字和混合信号SoC/ASIC/SIP, 嵌入式存储器件等方面,重点讨论如何解决集成电路设计问题的方法,以提高芯片各项性能指标。


        业务

版权所有365娱乐平台紫光国芯半导体有限365娱乐平台 All Rights Reserved.
陕ICP备14006572号  ; 陕公网安备 61019002001302号  
| 联系总部